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支持120W快充|3D封装技术合封氮化镓电源芯片RM6820NQ

来源:永利娱乐网站-【提现快】 发布时间:2021-11-29 阅读次数:

支持120W快充|3D封装技术高集成合封氮化镓电源芯片RM6820NQ

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芯片概述

RM6820NQ采用行业先进的3D封装技术,芯片内部集成ZVS反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等,支持最大120W快充,具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点,实现了高可靠、高效率、高集成的小型化大功率快充电源设计要求。

RM6820NQ 集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频 130Khz 的 PWM 模式下,在低压输入时会进入 CCM 模式;在重载情况下,系统工作在 QR 模式,并采用专有 ZVS 技术,以降低开关损耗,同时结合 PFM 工作模式提高系统效率;RM6820NQ 采用专有的驱动技术,搭配高压 GaNFET功率器件改善 EMI 设计;在轻载或空载情况下,系统工作在 Burst Mode 模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,RM6820NQ 本身损耗极低,因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下,都集成了特有抖频工作模式,以改善 EMI。
 
RM6820NQ 同时集成了多种保护模式和补偿电路,包括 VCC OVP,内置 OTP,外置 OVP,欠压锁定(uvlo),逐周期过流保护 OCP,过载保护(OLP),CS 短路保护,输出肖特基短路保护等,并内置斜坡补偿和 ZVS 线电压补偿。

 


功能特点
 

■ 支持 CCM/QR 混合模式;

■ 专有 ZVS 技术;

■ 内置 700V 高压启动;

■ 内置 650V GaNFET; 

■ 支持最大 130KHz 工作频率;

■ 内置特有抖频技术改善 EMI; 

■ Burst Mode 去噪音; ? 

■ 低启动电流(2uA),低工作电流; 

■ 集成斜坡补偿及 ZVS 高低压补偿;

■ 集成 AC 输入 Brown out/in 功能;

■ 外置 OVP 保护;

■ 具有输出肖特基短路保护/CS 短路保护;

■ 内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护。


原理图
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产品系列

 

型号 反馈形式 输出功率 封装 功率管 应用领域
RM6820NQ SSR+ZVS 120W PLP8*8 内置GaN

PD/QC快速充电器

大功率适配器

TV电源

 

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