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覆盖20~120W快充|亚成微推出氮化镓合封电源芯片RM6820NQ/RM6604ND系列

来源:永利娱乐网站-【提现快】 发布时间:2022-01-21 阅读次数:

        近年来,氮化镓快充产品因充电快、发热小以及体积小备受消费者喜爱。随着消费需求的日益增长,氮化镓快充的市场规模也在持续扩大,众多快充厂商因此受益,同时越来越多的充电器都开始应用氮化镓功率器件,这无疑加快了行业对氮化镓高功率密度快充产品的创新。随着对氮化镓特性的不断了解,将氮化镓(GaN)与开关电源控制器合封的芯片也开始出现。

 

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         作为国内高功率密度快充解决方案的创新者,永利娱乐网站-【提现快】在近日推出了氮化镓(GaN)合封开关电源芯RM6820NQ/RM6604ND系列,该系列芯片内部集成开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等,并具有小体积、高效率、高导热率、高通流等特点。通过功率集成,不仅简化了充电器的设计,还大幅减少了充电器初级元件数量,降低了对PCB板面积的要求,系统成本方面也更具有优势,并实现了高可靠、高效率、高集成的小型化快充电源设计要求。
 



【氮化镓(GaN)合封开关电源芯片RM6820NQ】

 

 

功能特点:
 

■ 专有 ZVS 技术;

■ 内置 650V GaNFET; 

  支持最大 130KHz 工作频率;

  Burst Mode 去噪音;

  集成斜坡补偿及 ZVS 高低压补偿;

  外置 OVP 保护;

  内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护。
 


原理图:

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【氮化镓(GaN)合封开关电源芯片RM6604ND】

 

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功能特点:
 

■ 支持 CCM/QR 混合模式;

■ 内置 700V 高压启动;

■ 内置 650V GaNFET; 

■ 最大输出功率36W;

  支持最大 130KHz 工作频率;

  内置特有抖频技术改善 EMI; 

  Burst Mode 去噪音;

  低启动电流(2uA),低工作电流; 

  集成斜坡补偿;

  集成输入 Brown out/in 功能;

  外置 OVP 保护;

  具有输出肖特基短路保护/CS 短路保护;

  内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护。


原理图:

 

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产品系列:

 

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